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T35096 图书 2018SiC颗粒增强铝基复合材料锻材纸版

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T35096 图书 2018SiC颗粒增强铝基复合材料锻材纸版

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标准 SiC晶片纸版残余应力检测方法 2020 图书 ZSA

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图书 35096 锻材 2018SiC颗粒增强铝基复合材料纸版

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标准第2部分：可靠性试验方法半导体器件纸版图书碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFET 48164.2 SiC 2026

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2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 DRB CASAS 试验方法动态反偏 046 MOSFET SiC

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2024 044 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 SiC 高压高温高湿反偏试验方法 MOSFETs CASAS

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2024 042 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 SiC 高温栅偏试验方法 MOSFETs CASAS

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2024 043 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 SiC 高温反偏试验方法 MOSFET CASAS

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2024 045 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 SiC 动态栅偏试验方法 MOSFET CASAS

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2026 半导体器件可靠性试验方法第2部分：体二极管工作引起双 MOSFET 48164.2 SiC 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

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2018SiC颗粒增强铝基复合材料 35096 锻材

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2026 半导体器件可靠性试验方法第1部分：偏置温度不稳定性试 MOSFET 48164.1 SiC 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

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2024 033 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 SiC 功率器件开关动态测试方法 MOSFET CASAS

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CASAS SiC 021 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFE阈值电压测试方法 2024

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IAWBS 022 2024 MOSFET阈值电压测试方法 SiC 电流源单点测试法按需印装

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2026 半导体器件可靠性试验方法第1部分：偏置温度不稳性标准 MOSFET 48164.1 SiC 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

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SiC 164 铁水预处理用Al2O3 C砖 1999

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抗氧化超高温涂层用ZrB2 2022 2683 SiC复合粉体

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