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  • 标准 第2部分: 可靠性试验方法 半导体器件 纸版 图书 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFET 48164.2 SiC 2026
    标准 第2部分: 可靠性试验方法 半导体器件 纸版 图书 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFET 48164.2 SiC 2026
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  • 2026 半导体器件 可靠性试验方法 第2部分:体二极管工作引起双 MOSFET 48164.2 SiC 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
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  • T35096 图书 2018SiC颗粒增强铝基复合材料锻材 纸版
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  • 标准 SiC晶片 纸版 残余应力检测方法 2020 图书 ZSA
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  • 2026 半导体器件 可靠性试验方法 第1部分:偏置温度不稳性标准 MOSFET 48164.1 SiC 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
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  • 2026 半导体器件 可靠性试验方法 第1部分:偏置温度不稳定性试 MOSFET 48164.1 SiC 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
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  • 2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 DH3TRB CASAS 试验方法 动态高温高湿反偏 047 MOSFET SiC
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  • 2024 044 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 SiC 高压高温高湿反偏试验方法 MOSFETs CASAS
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  • 2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 DRB CASAS 试验方法 动态反偏 046 MOSFET SiC
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  • 2024 042 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 SiC 高温栅偏试验方法 MOSFETs CASAS
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  • 2024 043 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 SiC 高温反偏试验方法 MOSFET CASAS
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  • 2024 045 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 SiC 动态栅偏试验方法 MOSFET CASAS
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  • 2024 033 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 SiC 功率器件开关动态测试方法 MOSFET CASAS
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  • 2018SiC颗粒增强铝基复合材料 35096 锻材
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  • 2024 037 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 SiC 栅极电荷测试方法 MOSFET CASAS
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  • CASAS SiC 021 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFE阈值电压测试方法 2024
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  • IAWBS MOSFET阈值电压测试方法 022 SiC 电流源单点测试法 2024
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  • 飞秒激光微纳制备及其瞬态物理过程 SiC材料表面处理 正版 包邮
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  • 2020SiC晶片 残余应力检测方法 ZSA
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