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DRAM 存储芯片MT53E256M16D1DS 2.133GHZ 4GBIT 200W 046
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78.8
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欧越芯城
78FBGA 125 PARALLEL 2GBIT 存储芯片MT41K256M8DA DRAM
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欧越芯城
DRAM 1GBIT SSTL 存储芯片W631GG6NB 96VFBGA
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欧越芯城
DRAM 64MBIT HYPERBUS 存储芯片W956D8MBYA5I 24TFBGA
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欧越芯城
DRAM 512MBIT PARALLEL 存储芯片AS4C16M32MSA 90FBGA 6BIN
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欧越芯城
DRAM 64MBIT PAR 存储芯片AS4C4M16SA 60FBGA 7B2CN
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欧越芯城
DRAM 1GBIT SSTL 存储芯片W631GG6NB12I 96VFBGA
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欧越芯城
DRAM 128MBIT PAR 存储芯片AS4C4M32S 90TFBGA 6BIN
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欧越芯城
DRAM 8GBIT POD 存储芯片AS4C512M16D4A 96FBGA 62BCN
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欧越芯城
134VFBGA DRAM PAR 256MBIT 存储芯片W978H6KBVX2I
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欧越芯城
DRAM 256MBIT PAR 存储芯片W948D2FBJX5E 90VFBGA
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欧越芯城
256MBIT 54TSOP PAR DRAM 存储芯片MT48LC32M8A2P
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欧越芯城
DRAM 512MBIT PAR 存储芯片HYB25D512800CE 66TSOP
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欧越芯城
DRAM 1GBIT SSTL 存储芯片W631GG6NB11I 96VFBGA
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欧越芯城
DRAM 512MBIT PARALLEL 存储芯片AS4C64M8D1 60FBGA 5BCN
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欧越芯城
PARALLEL 25E 60FB 1GBIT DRAM 存储芯片MT47H128M8SH
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欧越芯城
DRAM 存储芯片MT47H32M16NF PARALLEL 512MBIT 84FBG 25E
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欧越芯城
DRAM 512MBIT PARALLEL 存储芯片AS4C32M16D3 96FBGA 12BCN
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欧越芯城
DRAM 512MBIT PAR 存储芯片IS43DR16320E 84TWBGA 3DBL
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欧越芯城
TFBGA 031 PAR 32GBIT 存储芯片MT62F1G32D4DR DRAM
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欧越芯城
DRAM 576MBIT 存储芯片MT49H16M36SJ 144FBGA PARALLEL
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欧越芯城
96FBGA 107 PAR AAT 4GBIT 存储芯片MT41K256M16TW DRAM
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欧越芯城
DRAM 4GBIT PAR 存储芯片D2516ECMDXGJD 96FBGA
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欧越芯城
DRAM 512MBIT PARALLEL 存储芯片AS4C32M16D3 96FBGA 10BCN
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DRAM 8GBIT 存储芯片NLQ83PFS 200FBGA LVSTL 8NET
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1GBIT DRAM SSTL 存储芯片W631GG8NB12I 78VFBGA
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DRAM 存储芯片MT53E256M32D2DS 2.133GHZ AIT 8GBIT 200 046
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DRAM 8GBIT 存储芯片NLQ83PFS 200FBGA LVSTL 6NAT
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欧越芯城
DRAM 4GBIT 存储芯片NDQ46PFI 96FBGA POD 6NIT
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DRAM 存储芯片MT53D512M32D2DS 1.866GHZ AIT 16GBIT 053
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